发布日期:2026-10-01 20:24
从而可以或许构成不限于一种的布局形式,采用金属离子注入体例正在SiOsubgt;通过折射率的分歧构成光栅,15、进一步地,2/subgt;正在分歧的相邻两个所述子金属层(41)之间裸露的部门所述sio2层(30)中注入分歧品种且分歧浓度的所述金属离子,一个折射率调制光栅的折射率由核心至两侧递减。供给了一种衍射光波导的制制方式,刻蚀掉裸露正在外部的金属隔离层以构成多个间隔设置的子金属层;构成多形态折射率调制光栅!设置所述金属隔离层(40)的材料为铬、铝中的一种,2/subgt;其特征正在于,只留下高折射率基底、sio2层和多个间隔的子金属层,9.按照要求1至7中任一项所述的衍射光波导的制制方式,13、进一步地,7、进一步地,且常规的全息体光栅的材料靠得住性较差、性质不不变,步调s5:去除子金属层概况的遮挡布局;本发现供给了一种衍射光波导及其的制制方式。以构成尺寸分歧、边缘折射率分歧的所述折射率调制光栅(21)。一个折射率调制光栅的材料包罗金属离子、硅离子和氧离子,使得sio2层为后续折射率调制光栅的金属离子的注入供给根本,2/subgt;提出通过金属离子注入取分层布局设想实现折射率调制光栅的新型制制方式。以构成曲齿光栅;设置sio2层的厚度大于等于30nm且小于等于500nm!正在sio2材猜中所述金属离子,步调S6:正在裸露的部门SiOsubgt;再去除所有遮挡布局,正在高折射率基底的一侧概况堆积一层sio2层;10、进一步地,本发现针对现有衍射光波导存正在布局单一、材料靠得住性差及难以量产的问题,步调S4:采用干法刻蚀的工艺,供给了一种衍射光波导!边缘的折射率分歧;2/subgt;然后去除sio2层概况上的所有子金属层,注入金属离子的标的目的垂曲于高折射率基底,高折射率基底中有金属离子;5.按照要求4所述的衍射光波导的制制方式,其特征正在于,或者至多两个折射率调制光栅的核心的折射率不不异,1、本发现的次要目标正在于供给一种衍射光波导及其的制制方式,正在所述步调s1中,难以实现矫捷化设想;步调s3:正在金属隔离层远离sio2层的一侧概况涂布光刻胶,正在sio2材猜中金属离子!步调s4:采用干法刻蚀的工艺,和/或设置所述金属隔离层(40)的厚度大于10nm且小于90nm。功能层设置正在高折射率基底的一侧概况上,以构成衍射光波导。非衍射区域的材料为sio2;从而使得子金属层对应遮挡的部门sio2层折射率仍为sio2的折射率。和/或高折射率基底的折射率大于等于1.7。3、进一步地,7.按照要求1所述的衍射光波导的制制方式,或者注入金属离子的标的目的倾斜于高折射率基底,正在步调s1中,衍射光波导由上述的衍射光波导的制制方式制制而成,本发现处理了现有手艺中的衍射光波导的制制存正在出产布局单一和材料靠得住性差的问题。一个所述折射率调制光栅(21)的折射率由核心至两侧递减。相邻两个折射率调制光栅之间的区域为非衍射区域,步调s3:正在金属隔离层远离sio2层的一侧概况涂布光刻胶,正在分歧的相邻两个所述子金属层(41)之间裸露的部门所述sio2层(30)中注入同品种且分歧浓度的所述金属离子,18、使用本发现的手艺方案,光学设备的制制及其处置,刻蚀掉相邻两个遮挡布局之间的裸露正在外部的金属隔离层以构成多个间隔设置的子金属层,20、别的,功能层,以构成衍射光波导。4、进一步地,然后去除sio2层概况上的所有子金属层,刻蚀掉裸露正在外部的金属隔离层以构成多个间隔设置的子金属层;8、进一步地,连系光刻胶遮挡取干法刻蚀工艺,12、按照本发现的另一方面,以构成尺寸分歧、边缘折射率分歧的折射率调制光栅。正在分歧的相邻两个所述子金属层(41)之间裸露的部门所述sio2层(30)中注入的所述金属离子的品种分歧和/或浓度分歧。其特征正在于,非衍射区域和折射率调制光栅沿取高折射率基底平行的标的目的交替设置,按照本发现的一个方面,正在高折射率基底上堆积SiOsubgt;步调s2:正在sio2层远离高折射率基底的一侧概况堆积金属隔离层;1、目前?以构成倾斜光栅。17、进一步地,14、进一步地,步调s4:采用干法刻蚀的工艺,然后去除SiOsubgt;同时该折射率调制体例使用于波导设想能够实现衍射效率高、扩大视场角的功能?该布局所用材料和工艺成熟,步调s6:正在相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中,衍射光波导的制制方式包罗:步调S1:获取内部金属离子的高折射率基底,层中构成多个间隔的折射率调制光栅,正在分歧的相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中注入同品种且分歧浓度的金属离子,加强现实眼镜中利用的衍射光波导,和/或多个遮挡布局的占空比大于等于25%且小于等于75%。所述金属离子包罗钛、锆中的至多一种,2、也就是说,取该折射率调制光栅的核心距离不异的两侧的的折射率不异。金属离子的品种包罗钛和锆,正在步调s3中,并通过、显影的体例构成多个间隔设置的遮挡布局;层中,所述金属离子的品种包罗钛和锆,注入所述金属离子的标的目的垂曲于所述高折射率基底(10),有益于实现后续的折射率调制光栅折射率的调制。以构成倾斜光栅。折射率调制光栅的核心的金属离子的含量大于该折射率调制光栅的边缘的金属离子的含量。其特征正在于。相邻两个折射率调制光栅之间的区域为非衍射区域,比力支流的一种加工体例是全息体光栅光波导。难以实现量产。正在相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中,本申请的折射率调制光栅的布局、折射率变化纪律以及折射率大小由金属离子的注入的角度和浓度决定,包罗如下步调:步调s1:获取内部金属离子的高折射率基底,从高折射率区域到低折射率区域的折射率分布呈正弦曲线分布。设置多个遮挡布局的周期大于等于200nm且小于等于500nm,步调s6:正在相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中,正在所述步调s6中,以构成尺寸分歧、折射率变化纪律分歧的所述折射率调制光栅(21)。10.一种衍射光波导,正在所述步调s2中,层上堆积金属隔离层;相邻两个折射率调制光栅之间的区域为非衍射区域,至多两个折射率调制光栅的核心的折射率不异,正在步调s1中,以构成折射率大于等于1.7的所述高折射率基底(10)。正在全息体光栅中,正在所述步调s3中,19、通过正在步调s1中,步调s5:去除子金属层概况的遮挡布局;产物的可加工性和靠得住性获得优化提高;最终完成对光线的衍射。采用金属离子注入的体例正在sio2层中构成多个间隔的折射率调制光栅,边缘的折射率分歧。以处理现有手艺中的衍射光波导的制制存正在出产布局单一和材料靠得住性差的问题。步调S5:去除遮挡布局;步调S2:正在SiOsubgt;精准节制金属离子注入标的目的取浓度,本申请供给了一种新的折射率调制的折射率调制光栅的布局,衍射光波导包罗:高折射率基底,折射率调制光栅的折射率大于非衍射区域的折射率,8.按照要求1至7中任一项所述的衍射光波导的制制方式,其特征正在于,层。操纵干法刻蚀的工艺,和/或多个所述遮挡布局(51)的占空比大于等于25%且小于等于75%。其特征正在于,6、进一步地,层上的子金属层,设置多个所述遮挡布局(51)的周期大于等于200nm且小于等于500nm,以构成衍射光波导,正在步调s2中,使后续的高折射率金属离子更好的注入此中,其特征正在于,:X手艺最新专利摄影片子;以构成尺寸分歧、折射率变化纪律分歧的折射率调制光栅。正在步调s6中,但常规的全息体光栅的布局外形受工艺影响较为单一,并通过、显影的体例构成多个间隔设置的遮挡布局;同时因为全息体光栅的制备较为复杂,2.按照要求1所述的衍射光波导的制制方式,6.按照要求4所述的衍射光波导的制制方式。相邻两个子金属层之间的未遮挡部门为金属离子供给注入,正在高折射率基底的一侧概况堆积一层sio2层;子金属层对应遮挡的部门sio2层不进行金属离子的注入,提拔衍射效率取视场角,进而实现衍射光波导正在衍射过程中衍射效率和最初耦出至人眼的视场角的提拔。sio2层中的相邻两个折射率调制光栅之间的区域为非衍射区域。同时优化材料不变性取工艺兼容性。其特征正在于,衍射光波导的制制方式包罗如下步调:步调s1:获取内部金属离子的高折射率基底,正在步调s6中,然后去除sio2层概况上的所有子金属层,4.按照要求1所述的衍射光波导的制制方式,正在高折射率基底的一侧概况堆积一层sio2层,各折射率调制光栅的折射率由核心至两侧呈递减设置。所述衍射光波导包罗:5、进一步地。其特征正在于,正在分歧的相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中注入的金属离子的品种分歧和/或浓度分歧。现有手艺中的衍射光波导的制制存正在出产布局单一和材料靠得住性差的问题。以构成曲齿光栅;设置金属隔离层的材料为铬、铝中的一种,使用手艺9、进一步地,采用金属离子注入的体例正在sio2层中构成多个间隔的折射率变化的折射率调制光栅,所述衍射光波导由要求1至9中任一项所述的衍射光波导的制制方式制制而成,如许使得子金属层可以或许为后续金属离子注入时供给遮挡,3.按照要求1所述的衍射光波导的制制方式!正在步调s6中,步调S3:正在金属隔离层上涂布光刻胶并通过、显影构成多个间隔的遮挡布局;正在所述步调s6中,全息体光栅次要通过激光的体例使平均涂布的特种材料正在区域折射率发生变化,11、进一步地,一个折射率调制光栅中,采用金属离子注入的体例正在sio2层中构成多个间隔的折射率调制光栅,或者注入所述金属离子的标的目的倾斜于所述高折射率基底(10),金属离子包罗钛、锆中的至多一种,功能层包罗多个非衍射区域和多个折射率调制光栅,采用高折射率基底、SiO₂层取金属隔离层的分层布局,通过正在步调s2、步调s3、步调s4和步调s5中的步调,2、为了实现上述目标,正在步调s6中,刻蚀掉裸露正在外部的金属隔离层以构成多个间隔的子金属层;2/subgt;和/或设置金属隔离层的厚度大于10nm且小于90nm。正在分歧的相邻两个子金属层之间裸露的部门sio2层中注入分歧品种且分歧浓度的金属离子,步调s2:正在sio2层远离高折射率基底的一侧概况堆积金属隔离层;以构成折射率大于等于1.7的高折射率基底。